CTIA展示HTC One S一体式机身设计过程

    HTC 今年主打的就是One系列 产品 ，强大的配置加上优美的造型设计受到了很多用户的欢迎。近日在美国举办的CTIA大展上HTC为我们带来 HTC One S 背面一体成型的过程，一起来看看吧。

HTC One S 一体式机身设计过程

图：HTC One S一体式机身设计过程

    近年来HTC One S采用了最新的微弧氧化技术处理，这种技术最大特点是让让金属拥有陶瓷的触感。据悉HTC在材料方面下了很大的力气，这种技术处理后的金属表面手感非常的舒服，丝毫没有金属的厚重感。此次CTIA大展上HTC为我们带来了新材料制作几个步骤。

图HTC One S一体式机身设计过程

    HTC的微弧氧化制程技术使用的是航空级别的铝合金材料，在电解质和一万伏的电力下，使金属表面形成类似陶瓷般的黑色氧化物。这种制作工艺要求非常的高，HTC也是非常自豪One S能够使用这个工艺。未来相信越来越多的产品使用这项技术。